Introducción a la cerámica de semiconductores

A través de medidas de semiconductorización, la cerámica tiene granos semiconductores y límites de granos aislantes (o semiconductores), lo que muestra barreras de interfaz fuertes y otras propiedades semiconductores.

Existen dos métodos principales para la semiconductorización de la cerámica: método de reducción forzada y método de dopaje de donantes (también conocido como método de control de valencia atómica). Ambos métodos forman defectos, como las vacantes de iones en los cristales de la cerámica, proporcionando así una gran cantidad de electrones conductores, lo que hace que los granos en la cerámica se conviertan en un semiconductor de cierto tipo (generalmente de tipo N). La capa intermedia entre estos granos es una capa aislante u otra capa semiconductora de tipo (tipo P).

Hay muchos tipos decerámica semiconductora, incluidos varios termistores de coeficiente de temperatura negativa realizados utilizando las propiedades de los granos en la cerámica semiconductora; condensadores de semiconductores, varistores de ZnO, termistores de coeficientes de temperatura positivos BATIO3, células solares CDS/Cu2s hechas utilizando las propiedades de los límites de grano; y varias resistencias higroscópicas de cerámica y resistencias sensibles al gas hechas con propiedades de la superficie. La Tabla 2 enumera la cerámica de semiconductores típicos para sensores.

La cerámica fotoeléctrica CDS/Cu2S es diferente de la cerámica semiconductora enumerada en la tabla anterior que usan las propiedades de la capa límite de grano aislante. Utilizan el efecto fotovoltaico de la heterounión PN entre los CD de tipo N y las capas límite de grano CU2 de tipo P. Las células solares de cerámica hechas de ellas pueden usarse como fuentes de energía para estaciones no tripuladas y como dispositivos de acoplamiento fotoeléctrico en instrumentos electrónicos.